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데이터시트

STLD200N4F6AG

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

부품 번호

STLD200N4F6AG

제조사/브랜드

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ F6

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6) dual side

전력 소비(최대)

158W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

40V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

120A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

1.5 mOhm @ 75A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

172nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

10700pF @ 10V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

6.5V, 10V

Vgs(최대)

±20V

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재고 51598 PCS

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