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CSD17579Q3AT

CSD17579Q3AT

MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
부품 번호
CSD17579Q3AT
제조사/브랜드
시리즈
NexFET™
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-VSONP (3x3.15)
전력 소비(최대)
3.2W (Ta), 29W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
30V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.9V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
15nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
998pF @ 15V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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