CSD25213W10
MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
부품 번호
CSD25213W10
제조사/브랜드
시리즈
NexFET™
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
4-UFBGA, DSBGA
공급자 장치 패키지
4-DSBGA (1x1)
전력 소비(최대)
1W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
47 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
2.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
478pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
-6V
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