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데이터시트

CSD85312Q3E

MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

부품 번호

CSD85312Q3E

제조사/브랜드

Texas Instruments

시리즈

NexFET™

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-PowerVDFN

전력 - 최대

2.5W

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압(Vdss)

20V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

39A

Rds On(최대) @ Id, Vgs

12.4 mOhm @ 10A, 8V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

2390pF @ 10V

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재고 8989 PCS

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