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데이터시트

CSD87312Q3E

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

부품 번호

CSD87312Q3E

제조사/브랜드

Texas Instruments

시리즈

NexFET™

부품현황

Active

포장

Cut Tape (CT)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-PowerTDFN

전력 - 최대

2.5W

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압(Vdss)

30V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

27A

Rds On(최대) @ Id, Vgs

33 mOhm @ 7A , 8V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1250pF @ 15V

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재고 15895 PCS

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