TPCC8093,L1Q
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
부품 번호
TPCC8093,L1Q
시리즈
U-MOSVII
부품현황
Active
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-TSON Advance (3.3x3.3)
전력 소비(최대)
1.9W (Ta), 30W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
21A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.2V @ 500µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
16nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1860pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±12V
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