AGM-Semi (core control source)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
AGM12N65F
N-channel 650V 12A 0.76Ω
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
설명하다
Type: N-channel Drain-source voltage (Vdss): 650V Continuous drain current (Id): 12A Power (Pd): 65W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 0.76Ω@10V, 6A Threshold voltage ( Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) 51nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 1.641nF@25V, Vds=650v Id=12A Rds=0.76Ω, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 71994 PCS