AGM-Semi (core control source)
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AGM302C1 N-channel 30V 115A 2.2mΩ

AGM302C1

N-channel 30V 115A 2.2mΩ
부품 번호
AGM302C1
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
캡슐화
TO-220C
포장
Tube
패키지 수
50
설명하다
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 115A Power (Pd): 80W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ @10V,20A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): 100nC@10V Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.85nF@15V ,Vds=30V Id=115A Rds=2.2mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj);
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재고 84211 PCS
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