AGM-Semi (core control source)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
AGM30P10K
AGM30P10K
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
설명하다
Type: P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 100V Continuous Drain Current (Id): 30A Power (Pd): 50W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 52mΩ@10V,10A Threshold Voltage ( Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 73nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 4.507nF@50V, Vds=100V Id=30A Rds=52mΩ, operating temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 55007 PCS