AGM-Semi (core control source)
이미지는 예시일 수 있습니다.
제품 세부사항은 사양을 확인하세요.
AGM609D
AGM609D
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
제조사/브랜드
AGM-Semi (core control source)
설명하다
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 60A Power (Pd): 62.5W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 6.5mΩ@10V, 30A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 52.1nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 2.1nF@30V , Vds=60v Id=60A Rds=6.5mΩ, Working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고
제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우
[email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 64901 PCS