구입하다 AGM-Semi (core control source) AGM612MNA N+N channel 60V 50A 11mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM612MNA

N+N channel 60V 50A 11mΩ

부품 번호

AGM612MNA

범주

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

제조사/브랜드

AGM-Semi (core control source)

캡슐화

DFN5x6

포장

taping

패키지 수

3000

설명하다

Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 50A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11mΩ@10V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.6V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 15nC@10V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.7nF@30V, Vds=60V Id=50A Rds=11mΩ, operating temperature : -55℃~+150℃@(Tj) DFN5*6;

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재고 62310 PCS

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