onsemi (Ansemi)
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FDG6303N
FDG6303N
범주
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
설명하다
These Dual N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild Semiconductor's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize on-resistance. The device is specifically designed for low-voltage applications to replace bipolar digital transistors and small-signal MOSFETS.
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재고 65812 PCS