onsemi (Ansemi)
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HGTD1N120BNS9A
NPT 60W 1.2kV 5.3A IGBT, 1200V, NPT
범주
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
설명하다
The HGTD1N120BNS9A is based on a No Through Punch (NPT) IGBT design. This IGBT is suitable for a variety of high voltage switching applications operating at medium frequencies where low conduction losses are critical, such as UPS, solar inverters, motor control and power supplies.
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재고 61833 PCS