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IPN60R1K0CEATMA1

IPN60R1K0CEATMA1

CONSUMER
부품 번호
IPN60R1K0CEATMA1
제조사/브랜드
시리즈
CoolMOS™ CE
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
SOT-223-3
공급자 장치 패키지
PG-SOT223
전력 소비(최대)
5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 130µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
13nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
280pF @ 100V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 9558 PCS
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