IPP50R199CPHKSA1
MOSFET N-CH 550V TO-220
부품 번호
IPP50R199CPHKSA1
제조사/브랜드
시리즈
CoolMOS™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
PG-TO220-3-1
전력 소비(최대)
139W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
550V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
199 mOhm @ 9.9A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 660µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
45nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1800pF @ 100V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 31243 PCS
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