IRF100P218XKMA1
TRENCH_MOSFETS
부품 번호
IRF100P218XKMA1
제조사/브랜드
시리즈
StrongIRFET™
부품현황
Active
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-247-3
공급자 장치 패키지
TO-247AC
전력 소비(최대)
556W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
-
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.8V @ 278µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
555nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
25000pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
6V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 21954 PCS
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