IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
부품 번호
IRF200B211
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®, StrongIRFET™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
TO-220AB
전력 소비(최대)
80W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.9V @ 50µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
23nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
790pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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