IRLH5030TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
부품 번호
IRLH5030TRPBF
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-PQFN (5x6)
전력 소비(최대)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 150µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
94nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
5185pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±16V
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재고 17979 PCS
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