IRLL014NTR
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
부품 번호
IRLL014NTR
제조사/브랜드
시리즈
HEXFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지
SOT-223
전력 소비(최대)
1W (Ta)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
55V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
14nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
230pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4V, 10V
Vgs(최대)
±16V
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