IXFP10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
부품 번호
IXFP10N60P
제조사/브랜드
시리즈
HiPerFET™, PolarP2™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
TO-220AB
전력 소비(최대)
200W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
5.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
32nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1610pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 17811 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IXFP10N60P
IXFP10N60P 전자 부품
IXFP10N60P 매상
IXFP10N60P 공급자
IXFP10N60P 유통 업체
IXFP10N60P 데이터 테이블
IXFP10N60P 사진
IXFP10N60P 가격
IXFP10N60P 권하다
IXFP10N60P 최저 가격
IXFP10N60P 찾다
IXFP10N60P 구매
IXFP10N60P 칩숏