PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
부품 번호
PHKD3NQ10T,518
제조사/브랜드
시리즈
TrenchMOS™
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
작동 온도
-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
2W
공급자 장치 패키지
8-SO
FET 유형
2 N-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
100V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
21nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
633pF @ 20V
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재고 35665 PCS
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