PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
부품 번호
PMXB360ENEAZ
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
3-XDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지
DFN1010D-3
전력 소비(최대)
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.7V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
130pF @ 40V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 43801 PCS
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