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PHD3055E,118

MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

부품 번호

PHD3055E,118

제조사/브랜드

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

부품현황

Obsolete

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

전력 소비(최대)

33W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

60V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

10.3A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

5.8nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

250pF @ 25V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

10V

Vgs(최대)

±20V

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