FQD10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
부품 번호
FQD10N20LTM
제조사/브랜드
시리즈
QFET®
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
TO-252, (D-Pak)
전력 소비(최대)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
830pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 13011 PCS
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