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FQU10N20LTU
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FQU10N20LTU

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK
부품 번호
FQU10N20LTU
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
QFET®
부품현황
Obsolete
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지
I-PAK
전력 소비(최대)
2.5W (Ta), 51W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
830pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V, 10V
Vgs(최대)
±20V
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