IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
부품 번호
IRLW630ATM
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지
I2PAK (TO-262)
전력 소비(최대)
3.1W (Ta), 69W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 5V
Vgs(일)(최대) @ Id
2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
27nC @ 5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
755pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
5V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 15582 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드IRLW630ATM
IRLW630ATM 전자 부품
IRLW630ATM 매상
IRLW630ATM 공급자
IRLW630ATM 유통 업체
IRLW630ATM 데이터 테이블
IRLW630ATM 사진
IRLW630ATM 가격
IRLW630ATM 권하다
IRLW630ATM 최저 가격
IRLW630ATM 찾다
IRLW630ATM 구매
IRLW630ATM 칩숏