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NDT01N60T1G
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NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223
부품 번호
NDT01N60T1G
제조사/브랜드
ON Semiconductor
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지
SOT-223 (TO-261)
전력 소비(최대)
2.5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.7V @ 50µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
7.2nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
160pF @ 25V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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