NTAT6H406NT4G
NCH 80V 175A 2.9MOHM
부품 번호
NTAT6H406NT4G
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
-
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지
ATPAK
전력 소비(최대)
90W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
175A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
110nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
8040pF @ 40V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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