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NTF6P02T3G

NTF6P02T3G

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
부품 번호
NTF6P02T3G
제조사/브랜드
시리즈
Automotive, AEC-Q101
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지
SOT-223
전력 소비(최대)
8.3W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
20nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1200pF @ 16V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±8V
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