NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
부품 번호
NTMS10P02R2G
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지
8-SOIC
전력 소비(최대)
1.6W (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.2V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
70nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
3640pF @ 16V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±12V
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재고 48443 PCS
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