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NVD6415ANLT4G

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4

부품 번호

NVD6415ANLT4G

제조사/브랜드

ON Semiconductor

부품현황

Active

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

전력 소비(최대)

83W (Tc)

FET 유형

N-Channel

드레인-소스 전압(Vdss)

100V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

23A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

1024pF @ 25V

Vgs(최대)

±20V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

4.5V, 10V

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재고 12228 PCS

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