RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
부품 번호
RQ3C150BCTB
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
전력 소비(최대)
20W (Tc)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.2V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
60nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
4800pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4.5V
Vgs(최대)
±8V
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재고 48022 PCS
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