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RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
부품 번호
RQ3G150GNTB
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지
8-HSMT (3.2x3)
전력 소비(최대)
20W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
40V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
39A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1450pF @ 20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 10703 PCS
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