RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
부품 번호
RSJ10HN06TL
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Obsolete
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지
LPTS
전력 소비(최대)
100W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
202nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
11000pF @ 10V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
4V, 10V
Vgs(최대)
±20V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 48825 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드RSJ10HN06TL
RSJ10HN06TL 전자 부품
RSJ10HN06TL 매상
RSJ10HN06TL 공급자
RSJ10HN06TL 유통 업체
RSJ10HN06TL 데이터 테이블
RSJ10HN06TL 사진
RSJ10HN06TL 가격
RSJ10HN06TL 권하다
RSJ10HN06TL 최저 가격
RSJ10HN06TL 찾다
RSJ10HN06TL 구매
RSJ10HN06TL 칩숏