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RW1C020UNT2R

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

부품 번호

RW1C020UNT2R

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

시리즈

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

6-WEMT

전력 소비(최대)

400mW (Ta)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

20V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

2A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

180pF @ 10V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.5V, 4.5V

Vgs(최대)

±10V

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재고 49639 PCS

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