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SCT3022ALGC11

MOSFET NCH 650V 93A TO247N

부품 번호

SCT3022ALGC11

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

시리즈

부품현황

Active

포장

Tube

기술

SiCFET (Silicon Carbide)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지/케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

전력 소비(최대)

339W (Tc)

FET 유형

N-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

650V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

93A (Tc)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

28.6 mOhm @ 36A, 18V

Vgs(일)(최대) @ Id

5.6V @ 18.2mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

133nC @ 18V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

2208pF @ 500V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

18V

Vgs(최대)

+22V, -4V

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재고 23110 PCS

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