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STQ1HN60K3-AP
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STQ1HN60K3-AP

MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
부품 번호
STQ1HN60K3-AP
제조사/브랜드
STMicroelectronics
시리즈
SuperMESH3™
부품현황
Active
포장
Tape & Box (TB)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지
TO-92-3
전력 소비(최대)
3W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
600V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4.5V @ 50µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
9.5nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
140pF @ 50V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±30V
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