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TPS1100DR

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

부품 번호

TPS1100DR

제조사/브랜드

Texas Instruments

시리즈

부품현황

Active

포장

Tape & Reel (TR)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

전력 소비(최대)

791mW (Ta)

FET 유형

P-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

15V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

1.6A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(일)(최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

5.45nC @ 10V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

2.7V, 10V

Vgs(최대)

+2V, -15V

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재고 6653 PCS

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