TPS1101DR
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
부품 번호
TPS1101DR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tape & Reel (TR)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지
8-SOIC
전력 소비(최대)
791mW (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
15V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
11.25nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
2.7V, 10V
Vgs(최대)
+2V, -15V
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재고 41223 PCS
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