TPS1120DR
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
부품 번호
TPS1120DR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
작동 온도
-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
전력 - 최대
840mW
공급자 장치 패키지
8-SOIC
FET 유형
2 P-Channel (Dual)
FET 기능
Logic Level Gate
드레인-소스 전압(Vdss)
15V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
1.17A
Rds On(최대) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
1.5V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
5.45nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
-
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재고 33786 PCS
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