Toshiba Semiconductor and Storage
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TK35E08N1,S1X
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TK35E08N1,S1X

MOSFET N-CH 80V 55A TO-220
부품 번호
TK35E08N1,S1X
제조사/브랜드
Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈
U-MOSVIII-H
부품현황
Active
포장
Tube
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-220-3
공급자 장치 패키지
TO-220
전력 소비(최대)
72W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
80V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
55A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 300µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
25nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
1700pF @ 40V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
10V
Vgs(최대)
±20V
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재고 35022 PCS
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