Triode/MOS tube/transistor/module
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET VDS-20V, VGS±12V, ID-2.4A, IDM-10A, Is-1A
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS-30V, VGS±12V, ID-0.3A, PD-0.35W
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N-Channel MOS 00V,2.2A.RDS(ON) =100m? (Typ.) @ VGS =10V,ID Continuous Drain Current TC = 25℃ 2.2 A
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Type(N)/ESD(N)/VDS20(V)/VGS12(±V)/VGS(th)1(V)/ID2.9(A)
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N-Channel MOS RDS(ON) =250m? (Typ.) @ VGS =10V,VDSS--100V,Ciss Input Capacitance 340pF,ID Continuous Drain Current TC = 25℃ 3 A
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N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VDS30V, VGS±12V, ID-0.5A, PD-0.35W
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N-channel MOS VDS=100V, ID=0.17A, RDS(ON) <6? @ VGS =10V, RDS(ON <9? @ VGS =4.5V
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100V N-Channel MOSFET 2.6 A, 100 V RDS(ON) = 90 m @ VGS = 10 V, RDS(ON) = 85 m @ VGS = 4.5 V
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