C3M0065100J
MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
부품 번호
C3M0065100J
제조사/브랜드
시리즈
C3M™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급자 장치 패키지
D2PAK-7
전력 소비(최대)
113.5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
35nC @ 15V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
660pF @ 600V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
15V
Vgs(최대)
+15V, -4V
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재고 13170 PCS
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