C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
부품 번호
C3M0065100K
제조사/브랜드
시리즈
C3M™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
-
패키지/케이스
TO-247-4
공급자 장치 패키지
TO-247-4L
전력 소비(최대)
113.5W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1000V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
35A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 5mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
35nC @ 15V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
660pF @ 600V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
15V
Vgs(최대)
+19V, -8V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 20154 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드C3M0065100K
C3M0065100K 전자 부품
C3M0065100K 매상
C3M0065100K 공급자
C3M0065100K 유통 업체
C3M0065100K 데이터 테이블
C3M0065100K 사진
C3M0065100K 가격
C3M0065100K 권하다
C3M0065100K 최저 가격
C3M0065100K 찾다
C3M0065100K 구매
C3M0065100K 칩숏