C3M0120090J
MOSFET N-CH 900V 22A
부품 번호
C3M0120090J
제조사/브랜드
시리즈
C3M™
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급자 장치 패키지
D2PAK-7
전력 소비(최대)
83W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
900V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 3mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
17.3nC @ 15V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
350pF @ 600V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
15V
Vgs(최대)
+18V, -8V
견적요청
모든 필수 필드를 작성하고 제출을 클릭하세요. 12시간 이내에 이메일로 연락드리겠습니다. 질문이 있으신 경우 [email protected] 에게 메시지를 남기거나 이메일을 보내주시면 최대한 빨리 답변해 드리겠습니다.
재고 25794 PCS
연락처 정보
관련 상품
키워드C3M0120090J
C3M0120090J 전자 부품
C3M0120090J 매상
C3M0120090J 공급자
C3M0120090J 유통 업체
C3M0120090J 데이터 테이블
C3M0120090J 사진
C3M0120090J 가격
C3M0120090J 권하다
C3M0120090J 최저 가격
C3M0120090J 찾다
C3M0120090J 구매
C3M0120090J 칩숏