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RT1A040ZPTR

MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

부품 번호

RT1A040ZPTR

제조사/브랜드

Rohm Semiconductor

시리즈

부품현황

Not For New Designs

포장

Cut Tape (CT)

기술

MOSFET (Metal Oxide)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지/케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-TSST

전력 소비(최대)

1.25W (Ta)

FET 유형

P-Channel

FET 기능

드레인-소스 전압(Vdss)

12V

전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C

4A (Ta)

Rds On(최대) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(일)(최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs

30nC @ 4.5V

입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds

2350pF @ 6V

구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)

1.5V, 4.5V

Vgs(최대)

±10V

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재고 42575 PCS

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