RT1A050ZPTR
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
부품 번호
RT1A050ZPTR
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Cut Tape (CT)
기술
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도
150°C (TJ)
장착 유형
Surface Mount
패키지/케이스
8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지
8-TSST
전력 소비(최대)
600mW (Ta)
FET 유형
P-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
12V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
5A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id
1V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
34nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
2800pF @ 6V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
1.5V, 4.5V
Vgs(최대)
±10V
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재고 16755 PCS
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