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SCT2450KEC
MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
585 mOhm @ 3A, 18V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 900µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
27nC @ 18V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
463pF @ 800V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
18V
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재고 7672 PCS