SCT20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
부품 번호
SCT20N120
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
-55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-247-3
공급자 장치 패키지
HiP247™
전력 소비(최대)
175W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1200V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
290 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(일)(최대) @ Id
3.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
45nC @ 20V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
650pF @ 400V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
20V
Vgs(최대)
+25V, -10V
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재고 52478 PCS
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