SCT2H12NZGC11
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
부품 번호
SCT2H12NZGC11
제조사/브랜드
시리즈
-
부품현황
Active
포장
Tube
기술
SiCFET (Silicon Carbide)
작동 온도
175°C (TJ)
장착 유형
Through Hole
패키지/케이스
TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지
TO-3PFM
전력 소비(최대)
35W (Tc)
FET 유형
N-Channel
FET 기능
-
드레인-소스 전압(Vdss)
1700V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(일)(최대) @ Id
4V @ 900µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs
14nC @ 18V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds
184pF @ 800V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)
18V
Vgs(최대)
+22V, -6V
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재고 45651 PCS
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